IGBT的两级关断

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的两级关断（Two-stage turn-off）是一种优化关断过程的方法，告急用于淘汰关断时的电压过冲和dv/dt（电压厘革率）过高的标题，特别是在大功率应用中（如变频器、逆变器和高压直流输电等）。
<hr> 为什么必要两级关断？

在 IGBT 关断时，集电极电流敏捷降落，同时由于电感效应（电流突变导致电压尖峰），容易产生高电压过冲（V_ce spike），以致大概凌驾 IGBT 的耐压极限，导致器件粉碎。同时，dv/dt 过高大概引起寄生电流，影响电路稳固性。
<hr> 两级关断的实现

根本原理

两级关断的焦点头脑是：

  

• 第一阶段（软关断）：先以较小的栅极驱动电流渐渐低落 IGBT 导通电流，从而限定 dv/dt 和电压过冲。  
  
• 第二阶段（快速关断）：当 IGBT 导通电流淘汰到肯定水平后，再快速拉低栅极电压，使 IGBT 彻底关断。
  

实现方法

两级关断通常通过栅极驱动电路实现，告急方法如下：

  

• 双电阻关断（Two-stage gate resistor turn-off）
  
     
  
  • 在 IGBT 关断时，先通过较大电阻（R_soft_off）来限定关断速率，淘汰 dv/dt 和电压过冲。   
    
  • 随后，在 IGBT 电流低落到肯定水平后，切换到较小电阻（R_fast_off）加速关断。   
    
    
  
• 双级电流源驱动</