STM32-Flash闪存

目次
一、简介
1、闪存模块构造
2、FLASh根本布局
3、FLash写入和读取操纵
4、编程流程
5、选项字节格式
6、选项字节编程步调
二、读写芯片内部FLASH编程
三、器件电子署名
1、简介
2、编程实现

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一、简介

• STM32F1系列的FLASH包罗步伐存储器、体系存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对步伐存储器和选项字节举行擦除和编程
  
• 读写FLASH的用途：利用步伐存储器的剩余空间来生存掉电不丢失的用户数据；通过在步伐中编程（IAP）,实现步伐的自我更新。
  
• 在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新步伐存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或体系加载步伐（Bootloader）下载下载步伐
  
• 在步伐中编程（In-Application Programming – IAP），可以利用微控制器支持的任一种通讯接口下载步伐
  
• STM32F103C8T6 中Flash为64字节
  

ROM和RAM存储 ：

1、闪存模块构造

主存储器利用页单位来存储数据，每个页的巨细为1KByte,C8T6芯片64KByte ,以是只用了前64页。
启动步伐代码即体系存储器，巨细为2KByte
 

2、FLASh根本布局

 
 3、FLash写入和读取操纵

• 先解锁
  

FPEC（闪存编程/擦除控制器）共有三个键值：

键	值
RDPRT键	0x000000A5
KEY1	0x45670123
KEY2	0xCDEF89AB

  解锁：
        复位后，FPEC被掩护，不能写入FLASH_CR     
       在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁   
        错误的操纵序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR
  加锁：
        设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR

• 读写
  
  
  
  • 利用指针读指定地点下的存储器：     uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
    
  • 利用指针写指定地点下的存储器：     *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;
    
  • 此中：     #define    __IO    volatile
    
  
  

 volatile告诉编译器这个变量是易变的，不要去优化它，每次必须从内存中读取。


4、编程流程

FLASH_CR寄存器中某位：

• LOCK：锁，只能写’1’。 当该位为’1’时体现FPEC和FLASH_CR被锁住。在检测到精确的解 锁序列后，硬件扫除此位为’0’。 在一次不乐成的解锁操纵后，下次体系复位前，该位不能再被改变。
  
• PG：编程，选择编程操纵，置’1‘。
  
• PER：页擦除，选择整页擦除，置’1‘。
  
• START：开始，当该位为1时将触发一次擦除操纵。该位只可由软件置1，并在BSY变为’1‘时，清为’0‘。
  
• MER：全擦除，选择擦除全部用户页，置’1‘
  

FLASH_SR寄存器中某位：

• BSY：忙，该位指示闪存操纵正在举行。在闪存操纵开始时，该位被设置为’1‘；在操纵竣事或发生错误时该位被扫除为‘0’
  

• 编程过程
  

• 闪存页擦除
  

 

• 闪存全擦除
  

5、选项字节格式

每个选择位都在信息 块中有它的反码位，在装载选择位时反码位用于验证选择位是否精确，假如有任何的差别，将 产生一个选择字节错误标志(OPTERR)

• RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后排除读掩护
  
• USER：设置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
  
• Data0/1：用户可自界说利用 WRP0/1/2/3：设置写掩护，每一个位对应掩护4个存储页（中容量） 
  

 6、选项字节编程步调

• 选项字节编程
  
  
  
  • 查抄FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在举行的编程操纵
    
  • 解锁FLASH_CR的OPTWRE（答应写选择字节），当该位为1时 ，答应对选择字节举行编程操纵。当在FLASH_OPTKETR寄存器写入精确的键序列后，该位被置为‘1’。软件可扫除此位。
    
  • 设置FLASH_CR的OPTPG位为1
    
  • 写入要编程的半字到指定的地点
    
  • 等候BSY位变为0
    
  • 读出写入的地点并验证数据
    
  
  
• 选项字节擦除
  
  
  
  • 查抄FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在举行的闪存操纵
    
  • 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
    
  • 设置FLASH_CR的OPTER位为1
    
  • 设置FLASH_CR的OPTER位为1
    
  • 等候BSY位变为0
    
  • 读出被擦除的选择字节并做验证
    
  
  

二、读写芯片内部FLASH编程

MyFlash.c：
 

1. #include "stm32f10x.h"                  // Device header
3. uint32_t MyFlash_ReadWord(uint32_t Address)
4. {
5.         return *((__IO uint32_t *)(Address));     //32位
6. }
8. uint16_t MyFlash_ReadHalfWord(uint32_t Address)
9. {
10.         return *((__IO uint16_t *)(Address));
11. }
13. uint8_t MyFlash_ReadByte(uint32_t Address)
14. {
15.         return *((__IO uint16_t *)(Address));
16. }
18. void MyFlash_EraseAllPages(void)
19. {
20.         FLASH_Unlock();
21.    FLASH_EraseAllPages();
22.         FLASH_Lock();
23.        
24. }
26. void MyFlash_ErasePage(uint32_t PageAddress)
27. {
28.         FLASH_Unlock();
29.    FLASH_ErasePage(PageAddress);
30.         FLASH_Lock();
31.        
32. }
34. void MyFlash_ProgramWord(uint32_t Address,uint32_t Data)
35. {
36.        
37.         FLASH_Unlock();
38.    FLASH_ProgramWord(Address,Data);
39.         FLASH_Lock();
40.        
41. }
43. void MyFlash_ProgramHalfWord(uint32_t Address,uint16_t Data)
44. {
45.        
46.         FLASH_Unlock();
47.    FLASH_ProgramHalfWord(Address,Data);
48.         FLASH_Lock();
49.        
50. }

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MyFlash.h：

1. #ifndef _MYFLASH_H
2. #define _MYFLASH_H
4. uint32_t MyFlash_ReadWord(uint32_t Address);
6. uint16_t MyFlash_ReadHalfWord(uint32_t Address);
8. uint8_t MyFlash_ReadByte(uint32_t Address);
10. void MyFlash_EraseAllPages(void);
12. void MyFlash_ErasePage(uint32_t PageAddress);
14. void MyFlash_ProgramWord(uint32_t Address,uint32_t Data);
16. void MyFlash_ProgramHalfWord(uint32_t Address,uint16_t Data);
18. #endif

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Store.c：
用来在Flash内部储存数据

1. #include "stm32f10x.h"                  // Device header
2. #include  "MyFlash.h"
4. #define STORE_START_ADDRESS   0x0800FC00
5. #define STORE_COUNT  512
7. uint16_t Store_Data[STORE_COUNT];
8. uint16_t i=0;
10. void Store_Init(void)
11. {
12.        
13.        
14.         if(MyFlash_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS)!=0xA5A5)
15.         {
16.                 MyFlash_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);
17.                 MyFlash_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS,0xA5A5);
18.                 for(i=1;i<STORE_COUNT;i++)
19.                 {
20.                         MyFlash_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS+i*2,0x0000);
21.                 }
22.         }
23.         for(i=0;i<STORE_COUNT ;i++)
24.         {
25.                 Store_Data[i]=MyFlash_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS+i*2);
26.         }
27. }
29. void Store_Save(void)
30. {
31.         MyFlash_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);
32.         for(i=0;i<STORE_COUNT;i++)
33.         {
34.                 MyFlash_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS+i*2,Store_Data[i]);
35.         }
36.        
37. }
39. void Store_Clear(void)
40. {
41.         for(i=1;i<STORE_COUNT;i++)
42.         {
43.                 Store_Data[i]=0x0000;
44.         }
45.        
46.          Store_Save();
47. }

复制代码

Store.h：

1. #ifndef _STORE_H
2. #define _STORE_H
4. extern uint16_t Store_Data[];
6. void Store_Init(void);
8. void Store_Save(void);
10. void Store_Clear(void);
12. #endif

复制代码

main.c：
 

1. #include  "stm32f10x.h"                  // Device header
2. #include  "OLED.h"
3. #include  "delay.h"
4. #include  "Store.h"
5. #include  "MyFlash.h"
7. int main(void)
8. {
9.        
10.    OLED_Init();
11.         Store_Init();
12.         //擦除后数据位全都变为1
13.         //MyFlash_EraseAllPages();  
14.         OLED_ShowString(1,1,"Flag:");
15.         OLED_ShowString(2,1,"Data:");       
16.        
17.         while(1)
18.         {
19.                   
20.              OLED_ShowHexNum(1,6,Store_Data[0],4);
21.                   OLED_ShowHexNum(2,6,Store_Data[1],4);
22.              OLED_ShowHexNum(3,6,Store_Data[2],4);
23.       
24.               Store_Data[1]++;
25.              Store_Data[2]+=2;
26.              Store_Save();
27.                   Delay_ms(1000);
28.         }
29.        
30. }

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三、器件电子署名

1、简介

• 电子署名存放在闪存存储器模块的体系存储地区，包罗的芯片辨认信息在出厂时编写，不可更改，利用指针读指定地点下的存储器可获取电子署名
  
• 闪存容量寄存器：     
  基地点：0x1FFF F7E0     巨细：16位
  
• 产物唯一身份标识寄存器：     
  基地点： 0x1FFF F7E8     巨细：96位
  

2、编程实现

main.c：

1. #include  "stm32f10x.h"                  // Device header
2. #include  "OLED.h"
3. #include  "delay.h"
5. int main(void)
6. {
7.        
8.    OLED_Init();
9.        
10.         OLED_ShowString(1,1,"F_SIZE:");
11.         OLED_ShowHexNum(1,8,*(__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E0),4);
12.        
13.         OLED_ShowString(2,1,"U_ID:");
14.         OLED_ShowHexNum(2,6,*(__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8),4);
15.         OLED_ShowHexNum(2,11,*(__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8+0x02),4);
16.         OLED_ShowHexNum(3,1,*(__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8+0x04),8);
17.         OLED_ShowHexNum(4,1,*(__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8+0x08),8);
18.        
19.        
20.         while(1)
21.         {
23.         }
24.        
25. }

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