长鑫存储 DRAM 全球份额首破 10% 跃居第四:AI 驱动存储超级周期下的国产力量

长鑫存储 DRAM 全球份额首破 10% 跃居第四:AI 驱动存储超级周期下的国产力量

qidao123.com企服评测-应用市场2026-09-06T09:00:00.000+080032
Counterpoint Research 9月6日发布的全球 DRAM 市场报告显示,2026 Q2 全球 DRAM 营收同比 +385%、环比 +57%。长鑫存储 CXMT 单季份额首次跃至两位数 10%(+4pct YoY),跻身全球第四。三星 38%、SK海力士 25%、美光 24%,三巨头合计份额回落至 87%。长鑫母公司长鑫科技上半年营收 1503.1亿 +873.64%、净利 776.05亿扭亏(去年同期亏 23.32亿)。HBM 转向导致常规 DRAM 缺货涨价,长鑫主营毛利率高达 84.84%。已与字节签 70亿美元 5年期长单,与腾讯、百度签长约,阿里持股 5%。野村预计 2028 年底长鑫份额将达 18%。
【新闻原文】 2026 年 9 月 6 日,市场研究机构 Counterpoint Research 发布的全球 DRAM 市场分析报告显示,2026 年第二季度全球 DRAM 市场总营收同比飙升 385%、环比增长 57%。在这一爆炸性增长中,中国 DRAM 制造商长鑫存储(CXMT)以 10% 的季度营收份额首次跃入两位数区间,跻身全球第四。三星电子(38%)、SK 海力士(25%)、美光(24%)继续占据全球前三,但三巨头合计份额已从过去多年的 95% 以上回落至 87%。这一份额变化被业内视为全球存储芯片产业格局"四强时代"正式开启的标志。 长鑫的份额曲线堪称指数级爬升。Counterpoint 数据显示,长鑫 2023 年全球 DRAM 营收份额尚不足 1%,2024 年升至约 4%,2025 年第二季度跃升至 8%,2026 年第一季度再升至 8%,第二季度一举突破 10%。Counterpoint 今年 8 月初曾预计长鑫 Q2 份额约 7%,但随着长鑫母公司长鑫科技 8 月底公布超预期中报,最新报告将份额上修至 10%。长鑫科技 2026 年上半年实现营业收入 1503.1 亿元,同比增长 873.64%;归属于上市公司股东的净利润 776.05 亿元,相较去年同期亏损 23.32 亿元,已实现扭亏为盈,且单上半年业绩已超过公司 2025 年全年。仅按已公布的 Q1 业绩外推,长鑫 Q2 单季营收约 995.1 亿元,同比 +977.4%、环比 +95.9%,归母净利润 528.43 亿元,环比 +113.4%。 相比之下,三大 DRAM 原厂的同期业绩虽同样暴涨,但增速显著低于长鑫:三星 Q2 营收 171.5 万亿韩元,同比 +130%、环比 +28%;SK 海力士 79.3 万亿韩元,同比 +257%、环比 +51%;美光 FY2026 Q3(截至 5 月 28 日)营收 414.56 亿美元,同比 +346%、环比 +74%。这一增速差异背后,是三大 DRAM 巨头自去年 Q4 以来持续将更多产能转向毛利率更高的 AI 加速器所需的高带宽内存(HBM)产品,导致常规 DRAM 产出减少、价格飙升。Counterpoint 数据显示,2026 年 Q2 常规 DRAM 利润率已经与 HBM 持平甚至反超——这正是长鑫"以常规 DRAM 抢市场"的战略窗口。 长鑫的产品结构与定价策略也呈现出"非典型"特征。在产品端,长鑫已经量产最新的 LPDDR6 内存,首款产品速率 12800 Mbps,完全在 JEDEC 标准范围内,但相比 SK 海力士 1c 工艺 LPDDR6 设计上限 14400 Mbps 仍低约 11%。长鑫 DDR5 消费级产品在 2026 年 2 月 Hardware Unboxed 游戏基准测试中与三星、SK 海力士同类产品表现基本相当。在制程上,由于 ASML EUV 光刻机与部分高端浸没式 DUV 对华出口受限,长鑫 DRAM 产品制造路线图完全依赖 DUV 光刻,而三大 DRAM 原厂的高端产品已演进至 1b/1γ 节点,三星与 SK 海力士在 1a 节点起就引入 EUV,美光则从 1γ 节点开始引入 EUV。SemiAnalysis 与晨星分析师 Wei Jingjie 的建模显示,相比三大原厂平均水平,长鑫每比特的结构性成本劣势超过 30%。但即便如此,凭借常规 DRAM 缺货涨价,长鑫 2026 年上半年主营业务毛利率仍高达 84.84%。 更值得关注的是长鑫的定价策略。在 DRAM 这种高度同质化的市场中,新进入者通常采用深度折扣快速抢市场,但 Counterpoint 指出,长鑫的 DRAM 产品定价仅比韩国和美国同类产品低 5%-10%——并非"价格屠夫"。这意味着其营收增长反映的是真实销量增长,而非价格战。 上游长鑫的产能扩张正在路上。Counterpoint 与韩国央行数据显示,到 2028 年新芯片工厂投产有望使韩国晶圆月产能增加约 60 万片,同期长鑫晶圆月产能可能从目前的 30 万片提升至 60 万片。上游客户方面,长鑫已与字节跳动、腾讯、百度签署长期协议,其中字节跳动于 2026 年 7 月与长鑫签署了一份价值超过 70 亿美元的五年期服务器 DRAM 供应协议,阿里巴巴集团持有长鑫约 5% 股份且也是其主要客户。今年 7 月,长鑫已完成科创板 IPO,获得近 560 亿元融资,主要用于扩大产能和下一代技术研发。 但长鑫面前仍有"15% 生死线"。Counterpoint 研究总监 Hwang Min-sung 在最新报告中明确指出:"15% 是长鑫必须跨过的门槛,才能获得持续投资下一代晶圆厂的资金。"这一数字基于历史依据:中国台湾 DRAM 制造商南亚、华亚、茂德在 2008 年全球市场份额跌至 15% 以下时失去了竞争生存能力。Hwang 表示:"DRAM 制造商份额跌至 15% 以下,将无法为下一代晶圆厂融资,并萎缩至约 3% 的份额,沦为利基地位。"野村分析师 Donnie Teng 预计长鑫将在 2028 年底达到 18% 份额,轻松跨过 15% 门槛;而投资者 Dan Niles 提出更激进的观点——认为中国到 2030 年可能占据全球 DRAM 市场 30% 份额。Counterpoint 基线预测则更为保守,预计长鑫 2028 年比特份额约 11%、到 2035 年达到 15% 营收份额门槛。 【企服观察】 长鑫存储单季度份额首次破 10%,表面上是一个季度财务数据更新,本质上是 AI 驱动存储超级周期下,国产 DRAM 从"边缘玩家"走向"全球第四极"的关键转折点。这一变化对未来三年中国 AI 基础设施、国产替代节奏、半导体设备突破路径、企业 IT 采购策略,都有深远含义。 第一层含义是关于 AI 时代的"内存超级周期"和"HBM-常规 DRAM 双轨竞争"。过去 18 个月,三大 DRAM 巨头(Samsung、SK Hynix、Micron)都在全力转向 HBM——因为单条 HBM3E 的产出需要消耗约 3 份 DRAM 的产能,但毛利率远高于常规 DRAM。然而,AI 数据中心不仅需要 HBM,也需要大量服务器 DDR5、DDR4、LPDDR5X 来支持推理、缓存、内存数据库等场景。当三大原厂把产线转去 HBM 时,常规 DRAM 出现"被动缺货",价格大幅飙升——这给长鑫创造了"以常规 DRAM 抢市场"的窗口。从财务结果看,长鑫上半年毛利率高达 84.84%,与 HBM 持平甚至略高。这意味着,"AI 内存"不仅是 HBM 的故事,也是常规 DRAM 的故事;中国 AI 算力产业链不仅需要国产 GPU/HBM,也需要国产服务器 DRAM 来兜底容量与价格波动。这一逻辑与"GPU 国产化"同等重要——任何在 AI 算力上做战略采购的企业,都应把"内存国产化比例"列入未来 3 年的供应链安全指标。 第二层含义是关于"国产替代的量变到质变拐点"。从 2023 年全球份额不足 1%,到 2026 年 Q2 的 10%,长鑫走过的路径与"从 1% 到 10% 的国产替代曲线"高度相似:先是产品可用(DDR4/DDR5/LPDDR5X 性能追平头部)、再是产能爬坡(28nm 工艺、产能从 30 万片/月向 60 万片/月扩张)、再是定价话语权(不打价格战,而是用产能稀缺获得议价权)、最后是上下游协同(字节 70 亿美元长单、腾讯/百度长约、阿里持股)。这一节奏给所有国产半导体细分赛道(GPU、HBM、SSD、CIS、模拟等)提供了模板——前 5% 份额靠政策与补贴驱动,从 5% 到 10% 靠产品力与产能,10% 到 15% 靠生态绑定与商业化,15% 以上才能进入"自我造血"。当前长鑫的 10% 正是"从政策驱动向商业驱动"切换的关键节点。 第三层含义是关于"设备制约与 DUV 路线图"。长鑫在制程上落后三大原厂 1-2 个节点,且完全依赖 DUV 光刻机,这意味着每比特成本结构性高出 30%+。但长鑫通过多重曝光 DUV 在一定程度上弥补了良率损失,并通过把有限产能集中在"高溢价的常规 DRAM"上获得了超额利润。未来 3-5 年,长鑫若想越过 15% 门槛,必须在两个方向上取得突破:一是 EUV 替代方案(High-NA、纳米压印、自对准多重曝光等)能否绕过设备封锁;二是 HBM 自研——目前长鑫 98% 营收来自常规 DRAM,HBM 尚未实现量产销售,这意味着当 2028 年三大原厂完成 HBM 产能扩张、常规 DRAM 价格回落时,长鑫将面临毛利率回归的挑战。投资者 Dan Niles 的"中国 2030 占全球 30% 份额"预测能否成立,关键在于长鑫能否在 HBM 上打破"零量产"局面。 第四层含义是关于"15% 门槛的产业意义"。Counterpoint 反复强调 15% 是 DRAM 厂商的"生死线"——跌破 15% 将无法为下一代晶圆厂融资,份额将萎缩至约 3% 沦为利基。这一阈值的底层逻辑是:晶圆厂建设需要数百亿美元投资、3-5 年建设周期、5-7 年折旧周期,任何低于 15% 份额的厂商都无法摊薄产能折旧。15% 同时对应着"全球前五供应商"的位置(前五合计约 90%),是企业在客户采购清单中被列入"主力供应商"的最低门槛。中国台湾 DRAM 厂商 2008 年跌破 15% 后集体失去竞争力的教训,至今仍是全球半导体产业的警钟。对长鑫而言,2028 年的 18% 预测既是野村等卖方的乐观判断,也是长鑫未来 3 年战略执行的最重要 KPI——任何 HBM 量产时间表、产能扩张节奏、EUV 替代方案进度,都应该围绕"2028 年底前冲到 18%"这一目标展开。 第五层含义是关于企业 IT 采购与供应链策略的实操启示。在 AI 算力紧张、内存价格频繁波动的当下,所有自建算力、提供 AI 服务的中国企业,都应该重新审视自己的 DRAM 采购策略:①优先考虑与长鑫签长期协议——字节、腾讯、百度已经用 5 年长单锁定了产能;②在 H5/H7 高容量推理节点上,可以混合使用长鑫 DDR5 + SK Hynix HBM,降低单点供应风险;③关注长鑫 LPDDR6 在端侧 AI(如 AI 手机、AI PC、AI 眼镜、车载)的渗透节奏——小米 18 Fold 已经首发采用长鑫 LPDDR6,这一案例将被更多终端厂商复制;④把"内存国产化比例"列为供应链安全的年度考核指标,与 GPU 国产化、SSD 国产化同等对待。 简而言之,长鑫 10% 不是终点,而是起点。从 10% 到 15% 的攻坚、从 15% 到 18% 的跨越、从常规 DRAM 到 HBM 的纵深,每一步都决定着中国 AI 基础设施的下一阶段成本结构与供应安全。这不仅是一个企业故事,更是一个产业拐点。

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